切片
硅切片
硅晶圆的精密切割
硅晶圆芯片
飞秒激光硅片切割是一种先进技术，用于在半导体制造中精确切割或分割硅晶圆。该技术利用超短激光脉冲在材料内部产生高度局部化的能量吸收，从而形成极小的热影响区，减少损伤并防止硅片产生热应力。该方法能够实现更干净、更精确的切割，边缘光滑，非常适用于电子和微电子领域的高精度应用，在这些领域中保持精密结构的完整性至关重要。
碳化硅切片
以单次扫描（300 mm/s）速度对厚度为 500 µm 的 4H-SiC 晶圆进行切割
对 4H-SiC 晶圆进行精密自由形状切割
飞秒激光碳化硅（SiC）切割是一种高精度工艺，用于切割或分割广泛应用于电力电子和半导体器件中的碳化硅晶圆。该技术利用超短激光脉冲在材料内部产生极为局部化的能量吸收，从而最大限度地减少热损伤，防止裂纹或崩边。这一点尤为关键，因为碳化硅具有高硬度和脆性。飞秒激光切割可实现更干净的切割、更高的精度以及更少的材料浪费，非常适合应对高性能应用中 SiC 加工的挑战。
