瞬态光栅光谱仪 HARPIA-TG
- 几分钟内的载流子扩散系数！
- 无创测量技术
- 全自动计算机控制
- 光栅周期的连续设置
- 灵敏度低至 µJ/cm² 激励水平
- 先进的测量和分析软件
- 光致发光（PL）测量选项
LITG 测量的原理如右图所示。一对超短脉冲在样品平面上进行空间和时间重叠。激发光束的角度分离会导致它们在交叉时发生干涉。干涉图案的周期Λ取决于光束交叉角和泵浦波长。
周期性图案的激发产生了空间调制的激发载流子分布，并且有效地产生了折射率的周期性调制。因此，这种泵浦几何形状产生瞬态光栅，时间延迟的探测脉冲可以从该瞬态光栅衍射。随着时间的推移，激光诱导光栅由于载流子重组（电子衰变速率为τR）和载流子扩散（空间衰变速率为τD）而衰减。扩散项取决于瞬态光栅的周期：细光栅（小Λ值）比粗光栅（大Λ值）扩散得更快。因此，如果我们测量不同周期Λ下衍射信号的时间行为，我们可以从瞬态光栅的净衰减率τG的关系中确定载流子扩散系数D[cm²/s]。
I.
瞬态衰减动力学是在不同光栅周期Λ下测量的。HARPIA-TG允许对激励光栅周期进行连续调谐。可在样品平面上形成从1.15到15μm（取决于泵浦波长）的周期。
II.
在每个光栅周期获得的数据适合指数衰减。检索到的倒数衰减常数被绘制成光栅周期的平方倒数函数。该曲线的切线提供了载流子扩散系数（在给定的载流子浓度和温度下），而零截点(Λ = ∞ μm)提供了本征载流子重组率 τR。
III.
在不同的激发强度下重复实验，以获得扩散系数对非平衡态载流子浓度的综合相关性。
偏振和泵浦波长控制可分别实现更先进的自旋光栅和热光栅测量。
- 可扩展至长波（可见光/近红外）。详情请联系 sales@lightcon.com。
- 可根据需求提供 SH(515 nm)或基于 OPA 的探测。详情请联系 sales@lightcon.com。
- 取决于激发波长。
GaN
下图显示了 GaN 层背面和正面的载流子扩散系数、扩散长度和寿命与通量的函数关系。氮化镓越厚，由于更好的聚结，生长层的质量就越好。较低的扩散率和较短的寿命表明蓝宝石衬底和氮化镓之间的界面结构质量差且缺陷密度高。
使用 HARPIA-TG 结合 CARBIDE-CB5 激光和 I-OPA 进行测量。测量条件60 kHz、355 nm 泵浦波长、1030 nm 探针波长。
SiC
碳化硅（SiC）是一种具有独特性能的化合物半导体，因其具有高热导率、宽带隙和出色的电气性能而备受推崇。
在碳化硅器件中，高频、高温和高电压操作十分常见，因此管理载流子扩散对于确保器件性能的高效和可靠尤为重要，这也是碳化硅半导体技术的一个关键考虑因素。
HARPIA-TG 提供了一个专用软件，可以完全自动选择泵浦和探测参数以及光栅周期，从而尽可能简化扩散系数和载流子寿命的测量。
感谢您的支持！
感谢您与我们的联系，我们将会尽快回复您
已完成